Особенности явлений электронного переноса в анизотропных полупроводниках. Монография (Филиппов Владимир Владимирович); Спутник+, 2015

Издатель: Спутник+
ISBN: 978-5-9973-3592-2
EAN: 9785997335922
Книги: Физические науки. Астрономия
ID: 1764142
Добавлено: 12.12.2017

Рейтинг:

(5/5)

Описание

Получены выражения для распределения потенциала, позволившие исследовать особенности распределения электрического поля и протекания тока в средах с анизотропией проводимости. Изложены методы измерений удельной электропроводности, коэффициента Холла, подвижности и концентрации носителей заряда в анизотропных полупроводниковых материалах. Приводится анализ эффектов Холла и Гаусса в анизотропных полупроводниках. Рассмотрено моделирование физических свойств отдельных наноструктур электроники.
.Для научных работников, инженеров и аспирантов, занимающихся исследованием полупроводников, а также студентов старших курсов физических и инженерно-физических направлений подготовки.

Развернуть фото

Смотри также о книге.

СкидкаГИД инфо +

Сервис сравнения цен СкидкаГИД предлагает сравнить цены на товар «Книга: Особенности явлений электронного переноса в анизотропных полупроводниках. Монография (Филиппов Владимир Владимирович); Спутник+, 2015»

По данным нашего сервиса товар предлагался к продаже в 3 магазинах. В данный момент у нас нет информации о наличии данного товара в магазинах. Цена на данный товар варьировалась от 260 р. до 1436 р. Вы можете поискать его на других площадках ниже, а также ознакомиться с ценами на Яндекс.Маркет. Также вы можете подписаться на сообщение о наличии товара используя сервис «Сообщить о поступлении» - мы оповестим вас как только товар появится в продаже. Если товар снят с производства, сервис «История цены» поможет соориентироваться на вторичном рынке.

Кроме сервиса сравнеция цен, наш сайт также позволяет экономить еще двумя способами: промокодный сервис (информация о промокодах, а также скидки и акции на товары), а также собственный кэшбэк сервис.

Также покупатели оставили 1 отзыв и высоко оценили данный товар. Если у вас есть чем дополнить данные отзывы, напишите свой отзыв. Или оцените уже имеющиеся отзывы +1 -1

О книге

Основные характеристики товара
Параметр	Значение
ISBN	978-5-9973-3592-2
Автор(ы)	Филиппов Владимир Владимирович
Вес	0.26кг
Возрастные ограничения	12
Год издания	2015
Издатель	Спутник+
Кол-во страниц	259
Количество страниц	259
Переплет	Мягкий переплёт
Переплёт	мягкий
Раздел	Физические науки
Размеры	14,50 см × 20,50 см × 1,50 см
Страниц	259
Тематика	Физика
Тираж	100
Формат	145x205мм

Где купить

Как купить или где мы находимся +

Последняя известная цена от 260 руб до 1436 руб в 5 магазинах

В данный момент у нас нет информации о наличии данного товара в магазинах. Вы можете поискать его на других площадках ниже, а также ознакомиться с ценами на Яндекс.Маркет.

Также вы можете ознакомиться с нашей подборкой:
Книги: Физические науки. Астрономия - издательство "Спутник+"
Книги: Физические науки. Астрономия с ценой 208 р. - 312 р.

сообщить о поступлении

Книга: Особенности явлений электронного переноса в анизотропных полупроводниках. Монография (Филиппов Владимир Владимирович); Спутник+, 2015
Магазин	Цена	Наличие
Avito 5/5 ООО КЕХ еКоммерц ИНН: 7710668349	Avito доставка позволит получить любой товар, не выходя из дома Кэшбэк до 6.6%

История цены
Магазин	Последняя известная цена	Обновлено
Лабиринт	260 история цены +7.7%
book24	359 история цены +22.0%	24.10.2024
Яндекс.Маркет	1436 история цены -43.7%	17.06.2024

Кэшбэк сервис СкидкаГИД

Кэшбэк – это возврат части денег, потраченных Вами в интернет-магазинах. Всего на нашем сайте более 500 магазинов, с многими из которых Вы наверняка уже знакомы. У каждого магазина свои условия. Кто-то возвращает процент от покупки, а кто-то фиксированную сумму.

Заказывайте он-лайн и получайте часть денег обратно, подробнее..

Отзывы (1)

Заворотний Анатолий
- 4 апреля 2016

5/5

Книга посвящена актуальным исследованиям в области метрики электрофизических параметров в анизотропных полупроводниковых структурах функциональной электроники. Ряд глав также посвящены моделированиям энергетического спектра и устойчивым состояниям структур наноэлектроники. Думаю ее по достоинству оценят те ученые и инженеры, которые работают с усовершенствованием и/или созданием новых полупроводниковых приборов.
0 0