Модуль памяти Kingston KVR16LR11S4L/8

Оперативная DDR3 DIMM является одной из самых востребованных типов для персонального компьютера. Это 3-е поколение с достойными возможностями и характеристиками. Пришедшая на замену старого типа ddr2, эта имеет удвоенную скорость передачи информации и более широкие возможности. DDR3 является одной из самых популярных комплектующих на сегодняшний день. Она обеспечивает отличную многозадачность и быстродействие системы. Так же, она предоставит быстрый отклик запускаемых программ и приложений.

ValueRAM Kingston – это модули памяти, изготовленные в соответствии с отраслевыми стандартами, обеспечивающие непревзойденную производительность и отличающиеся легендарной надежностью Kingston. Память ValueRAM – разумный выбор.

Модуль памяти производителя KINGSTON способен значительно улучшить работу любого персонального компьютера, подарив ему новые возможности и предоставляет большую скорость транспортирования данных по шине. отличается низким уровнем тепловыделения и высокой производительностью. Данная модель имеет пропускную способность в 12800 Мб/с. Форм-фактор DIMM. Ёмкость оперативной памяти - 8. данный модуль легко устанавливается практически в любую материнскую плату. Тип памяти DDR3L.

Смотри также характеристики.

Основные характеристики товара

Параметр	Значение
CAS Latency (CL)	11
RAS to CAS Delay (tRCD)	11
Row Precharge Delay (tRP)	11
Артикул	KVR16LR11S4L/8
Буферизованная (Registered)	да
Габариты в упаковке (ВхШхГ), см	xx
Количество контактов	240-pin
Количество планок в комплекте, шт	1
Количество ранков	1
Количество чипов каждого модуля	18, двусторонняя упаковка
Назначение	Для настольного компьютера
Напряжение питания	1.35 В
Низкопрофильная (Low Profile)	да
Объем	1 модуль 8 Гб
Оперативная память (ECC)	ECC
Оперативная память (Буферизованная)	Registered / Buffered (Регистровая)
Оперативная память (Низкопрофильная)	Да
Оперативная память (объем)	8 Гб
Оперативная память (тип)	DDR3L - 1600 МГц
Поддержка ECC	есть
Пропускная способность шины, Мб/сек	12800
Пропускная способность	12800 Мб/с
Рабочее напряжение, В	1,35
Схема таймингов памяти	CL11 (11-11-11)
Тактовая частота	1600 МГц
Тип охлаждения	Без охлаждения
Тип памяти	DDR3L
Форм-фактор	DIMM 240-контактный
Частота работы шины памяти, МГц	1600