МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники (Мармалюк Александр Анатольевич, Акчурин Рауф Хамзинович); Техносфера, 2020

В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ , затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.

Развернуть фото

Смотри также о книге.

Основные характеристики товара

Параметр	Значение
ISBN	978-5-94836-521-3
Автор(ы)	Мармалюк Александр Анатольевич, Акчурин Рауф Хамзинович
Автор	Акчурин Рауф Хамзинович
Вес	0.769
Возрастное ограничение	16+
Год издания	2020
Жанр	физика; химия
Издатель	Техносфера
Издательство	Техносфера
Кол-во страниц	488
Количество книг	1
Количество страниц	488
Обложка	твердый переплёт
Оформление обложки	интегральный переплет
Размеры	70x100/16
Серия	Мир материалов и технологий
Тип обложки	твердая
Формат	17.0 x 25.0 x 2
Язык издания	Русский