Gigabyte AORUS M.2 2280 2Тб Gen4 GP-ASM2NE6200TTTD

Жесткие диски и сетевые накопители Gigabyte Первый в мире контроллер PCIe 4.0x4, контроллер Phison PS5016-E16, изготовленный по 28-нм производственной технологии. Усовершенствованный процесс изготовления гарантирует, что PS5016-E16 обладает достаточной вычислительной мощностью для обработки ECC при использовании новейшей 3D TLC NAND-flash. PS5016-E16 также имеет восемь каналов NAND с 32 целевыми объектами CE, кеширование DDR4 DRAM и интерфейс PCIe 4.0x4. Что касается функций, то чип поддерживает протокол NVMe 1.3, коррекцию ошибок LDPC и технологии выравнивания износа, избыточного обеспечения для повышения надежности и долговечности твердотельных накопителей.
Медный радиатор с полным корпусом учитывает теплопередачу от ключевых компонентов на передней и задней панели устройства, контроллера и NAND Flash. Полностью медные радиаторы имеют на 69% более высокую теплоотдачу по сравнению с алюминиевыми радиаторами, что дает AORUS NVMe Gen4 SSD наилучшее рассеивание тепла для производительности чтения / записи.
Toshiba BiCS4 NAND Flash оптимизирует схемотехнику и архитектуру, увеличив до 96 уровней для увеличения объема памяти на единицу площади. Пропускная способность 800 МТ / с на твердотельном накопителе AORUS NVMe Gen 4 намного превышает пропускную способность устройств PCIe 3.0x4, что обеспечивает превосходную производительность хранилища.
Благодаря новому контроллеру PCIe 4.0 твердотельный накопитель AORUS NVMe Gen 4 обеспечивает невероятную скорость: до 5000 МБ / с для последовательного чтения и до 4400 МБ / с для последовательной записи. Производительность последовательного чтения SSD-накопителей PCIe 4.0 на 40% быстрее, чем SSD-накопителей PCIe 3.0. Будьте готовы перейти к следующему поколению вычислений с более быстрым и плавным рендерингом в играх, потоковой передаче и графике.

Развернуть фото

Смотри также характеристики.

Основные характеристики товара

Параметр	Значение
IOPS	750000
NVMe	да
Ёмкость (после форматирования)	1860 GiB
Ёмкость диска	2000
Ёмкость	2000 GB
Артикул производителя (Part Number)	GP-ASM2NE6200TTTD
Бренд	Gigabyte
Версия PCI-E	4x
Вес в упаковке	260 г
Вес, кг	0.2
Вес	0,15 кг
Влажность при хранении	от 10 до 90%(без конденсации)
Влажность при эксплуатации	от 10 до 90%(без конденсации)
Внешняя скорость передачи данных, до	7880 МБ/с
Время наработки на отказ, ч.	1770000.00
Время наработки на отказ, час	1770000
Время наработки на отказ	1.77 млн ч
Высота, см	1,1
Габариты упаковки	13 см X 8 см X 3 см
Габариты	80.5 x 23.5 x 11.4мм
Гарантия производителя	3 год
Длина, см	2,4
Емкость	2 Тб
Интерфейс подключения	M.2
Интерфейс	PCI-E
Кеш	1907.3486328125
Код вендора	GP-ASM2NE6200TTTD
Код производителя	GP-ASM2NE6200TTTD
Количество в упаковке	10.00
Комплект поставки	документация
Контроллер	Phison PS5016-E16
Линейка	AORUS
Максимальная скорость записи	4400 МБ/с
Максимальная скорость чтения	5000 МБ/с
Место изготовления товара	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
Модель	GP-ASM2NE6200TTTD
Назначение	для компьютера
Наименование модели	GP-ASM2NE6200TTTD
Наличие PCIE	да
Объем TBW	3600 ТБ
Объем буфера	2048 MB
Объем накопителя	от 960 ГБ до 2 ТБ
Объем	2 Тб
Объём (ГБ)	2000
Объём	2 Tb
Питание	От PCI Express
Поддержка NVMe	есть
Поддержка S.M.A.R.T.	Есть
Поддержка TRIM	Есть
Поставляется вместе	нет
Производитель	GIGABYTE
Пропускная способность интерфейса	8 Гб/сек
Прочие особенности и свойства	MTBF - 1?.77 million hours
Радиатор	Да
Размер	80.5 x 11.4 x 23.5 mm
Размеры (в упаковке)	8 x 13 x 4 см
Размеры	8?0.5 x 11.4 x 23.5 мм
Разъемы	PCI-E
Ревизия PCI-E	4.0
Серия	AORUS
Скорость записи SSD (Мбайт/сек)	от 3501 до 4500
Скорость записи до (Мб/сек)	4400
Скорость записи, Мб/с	4400
Скорость записи, Мб/сек.	4400.00
Скорость записи/Скорость чтения, Мб/с	4400/5000
Скорость записи	4400
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ)	750000 IOPS
Скорость случайного чтения (блоки по 4Кб)	750000 IOPS
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ)	700000 IOPS
Скорость случайной записи (блоки по 4Кб)	700000 IOPS
Скорость чтения SSD (Мбайт/сек)	от 4501 до 5500
Скорость чтения до (Мб/сек)	5000
Скорость чтения, Мб/с	5000
Скорость чтения, Мб/сек.	5000.00
Скорость чтения	5000
Скорость	5000
Среднее время наработки на отказ (MTBF)	1770000 ч
Стойкость к перегрузкам	1500G
Страна производитель	Китай
Страна происхождения	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
Страна-производитель	Китай
Страна	Китай
Температура хранения	от -40 до +85°С
Температура эксплуатации	от 0 до +70°С
Тип памяти	3D NAND TLC
Тип товара	SSD накопители
Тип флэш-памяти	TLC
Тип	внутренний SSD диск
Товар для геймеров	Да
Уровень шума в различных режимах	Бесшумный
Форм-фактор	2280
Цвет	Медный
Ширина, см	8,1
Энергопотребление	6.6 Вт